低应力镀镍工艺

DUCTILE-NI HSNSM 高速低应力 氨基磺酸盐型 镀镍工艺

– 可以产生低应力,半光亮,具延展性的镍镀层。
– 适用于作为贵金属和非贵金属电镀的底层。
– 专门用于可溶性阳极体系的高速电镀设备。

DUCTILE-NI NSM 低应力 氨基磺酸盐型 镀镍工艺

– 是一种改进型的氨基磺酸盐型电解镍工艺。
– 可以产生低应力,半光亮,具延展性的镍镀层。
– 适用于作为贵金属和非贵金属电镀的底层。
– 适用于印制线路、接外挂程式、半导体、固体电路和其它高标准要求的电子元器件的制造。

DUCTILE MP-200H 高速低应力 氨基横酸镍工艺

– DUCTILE MP-200H是氨基磺酸盐型镀镍工艺,可以产生低应力、半光亮、具延展性的镍镀层。
– 此工艺尤其适用于作为贵金属和非贵金属电镀的底层;专门用于可溶性阳极体系的高速电镀设
备。

DUCTILE MP-200 低应力 氨基横酸镍工艺

– Ductile MP-200镀镍工艺是专为印制线路板、引线、接外挂程式、簧片等电子产品而设计的。
– 其镀镍层几乎无张应力,有时甚至带有压应力。
– 它特别适宜于用作金、钯、铑、银等贵金属的底层,也可作为多层装饰铬的中间镀层。

DUCTILE-NI HSNS 高速低应力 硫酸盐型 镀镍工艺

– 可以产生低应力,半光,具延展性的镍镀层。
– 适用于作为贵金属和非贵金属电镀的底层。
– 采用不溶性阳极体系的高速电镀设备。
– 主要用于印制线路、接外挂程式、半导体、固体电路和其它高可靠性电子元器件的制造。

DUCTILE-NI NS 低应力 镀镍工艺

– 镀层几乎无张应力、有时甚至带有压应力。
– 适用于作金、钯、铑、银等贵金属的底层。
– 专用于印制线路、接外挂程式、半导体、固体电路和其它高可靠性电子元器件的制