镀铜工艺

MIS BG-1 MIS 半导体专用酸铜

– MIS半导体专用酸铜电镀工艺提供具延展性,抗爆裂之半光亮铜镀层。
溶液操作简易。在应用于线路板电镀上,电流密度可达 70 ASF(7ASD)。
– MIS半导体专用酸铜优点是镀层具平整能力外,同时具柔性及抗爆裂。

MIS BG-2 MIS 半导体专用酸铜

– MIS半导体专用酸铜电镀工艺提供具延展性,抗爆裂之半光亮铜镀层。
溶液操作简易。在应用于线路板电镀上,电流密度可达 100 ASF(10 ASD)。
– MIS半导体专用酸铜优点是镀层具平整能力外,同时具柔性及抗爆裂。

CIRCUM-BRITE™ 2000 酸性镀铜工艺

– 均镀能力极好,即使穿孔镀也有很好的均镀能力;
电流密度在1~5A/d㎡,温度在20~30℃,硫酸铜浓度在60~90g / L 之间, CIRCUM-BRITE™ 2000有极好的光泽度和均镀能力;
– 镀层无应力,适用于热回圈实验;
– 分解产物不会影响镀液,穿孔镀时可以长时间无需碳处理。

CIRCUM-BRITE™ 3011 酸性镀铜工艺

– CIRCUM-BRITE™ 3011酸性镀铜工艺是专为高纵横比的PCB产品所设计的独特酸性镀铜系统,具有稳定性高,有机添加剂含量低,游离酸和铜的比率高,走位能力强的特性。
– 具有半光亮、结晶细密、延展性好和极佳的均匀性等特点。

MIS VP-1 半填孔镀铜工艺

– MIS镀铜VP-1半填孔工艺是一能于多种结构盲孔镀铜 (conformal plating) 及同时镀通孔的酸性电铜添加剂系统。
– 适合用于一般垂直或连续垂直 (VCP) 设备。提供有光泽、细致、延展性佳及物性优的镀层。

MIS VF-1 盲孔镀铜工艺

– MIS VF-1是一能将多种结构盲孔填平及同时镀通孔的电镀铜添加剂系统。
– 它能在基板上沉积成一层有光泽、细致、延展性佳及物性优的铜层。
– 可用于直流电流或脉冲电流,可在填平盲孔的同时,减少板面的铜沉积,如此可缩短操作周期且不需再做整平动作。
– MIS VF-1酸性电镀铜制程特别适用于垫内孔板能提升其可靠性。

MIS VF-2 填孔镀铜工艺

– MIS_VF-2是镀铜过程中一个独特的酸性镀铜体系,适用于HDI印刷电路板(包括全板电镀和图形电镀)上细微线路的形成、多层线路板制造及各种几何图形的盲孔通孔填充。
– 该电镀工艺镀层均匀、细致、无麻点,具有良好外观的光亮度。
– 本工艺中采用的添加剂可以电化学循环伏安分析方法(CVS: Cyclic Voltammetric Stripping)检测其在镀液中的浓度。